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        1. 服務(wù)項目
          IC真?zhèn)螜z測
          DPA檢測
          失效分析
          開發(fā)及功能驗證
          材料分析
          可靠性驗證
          電磁兼容(EMC)
          化學分析
          無損檢測
          標簽檢測
          外觀檢測
          X-Ray檢測
          功能檢測
          破壞性檢測
          丙酮測試
          刮擦測試
          HCT測試
          開蓋測試
          增值服務(wù)
          烘烤
          編帶
          包裝與物流
          DPA檢測-三級
          外觀檢測
          X-Ray檢測
          功能檢測
          粒子碰撞噪聲檢測
          密封
          內(nèi)部水汽含量
          超聲波掃描(SAT檢測)
          可焊性測試
          開蓋測試
          鍵合強度
          芯片剪切強度
          結(jié)構(gòu)
          非破壞分析
          3D數(shù)碼顯微鏡
          X-Ray檢測
          超聲波掃描(SAT檢測)
          電性檢測
          半導體組件參數(shù)分析
          電特性測試
          點針信號量測
          靜電放電/過度電性應(yīng)力/閂鎖試驗
          失效點定位
          砷化鎵銦微光顯微鏡
          激光束電阻異常偵測
          Thermal EMMI(InSb)
          破壞性物理分析
          開蓋測試
          芯片去層
          切片測試
          物性分析
          剖面/晶背研磨
          離子束剖面研磨(CP)
          掃描式電子顯微鏡(SEM)
          工程樣品封裝服務(wù)
          晶圓劃片
          芯片打線/封裝
          競爭力分析
          芯片結(jié)構(gòu)分析
          新產(chǎn)品開發(fā)測試(FT)
          FPGA開發(fā)
          單片機開發(fā)
          測試電路板設(shè)計/制作
          關(guān)鍵功能測試
          分立元器件測試
          功能檢測
          編程燒錄
          芯片電路修改
          芯片電路修改/點針墊偵錯
          新型 WLCSP 電路修正技術(shù)
          結(jié)構(gòu)觀察
          穿透式電子顯微鏡(TEM)
          掃描式電子顯微鏡(SEM)
          雙束聚焦離子束
          成分分析
          穿透式電子顯微鏡(TEM)
          掃描式電子顯微鏡(SEM)
          光譜能量分析儀
          光譜能量分析儀
          車載集成電路可靠性驗證
          車電零部件可靠性驗證(AEC)
          板階 (BLR) 車電可靠性驗證
          車用系統(tǒng)/PCB可靠度驗證
          可靠度板階恒加速試驗
          間歇工作壽命試驗(IOL)
          可靠度外形尺寸試驗
          可靠度共面性試驗
          環(huán)境類試驗
          高低溫
          恒溫恒濕
          冷熱沖擊
          HALT試驗
          HASS試驗
          快速溫變
          溫度循環(huán)
          UV紫外老化
          氙燈老化
          水冷測試
          高空低氣壓
          交變濕熱
          機械類試驗
          拉力試驗
          芯片強度試驗
          高應(yīng)變率-振動試驗
          低應(yīng)變率-板彎/彎曲試驗
          高應(yīng)變率-機械沖擊試驗
          芯片封裝完整性-封裝打線強度試驗
          芯片封裝完整性-封裝體完整性測試
          三綜合(溫度、濕度、振動)
          四綜合(溫度、濕度、振動、高度)
          自由跌落
          紙箱抗壓
          腐蝕類試驗
          氣體腐蝕
          鹽霧
          臭氧老化
          耐試劑試驗
          IP防水/防塵試驗
          IP防水等級(IP00~IP69K)
          冰水沖擊
          浸水試驗
          JIS/TSC3000G/TSC0511G防水測試
          IP防塵等級(IP00~IP69)
          電磁兼容(EMC)
          射頻場感應(yīng)的傳導騷擾抗擾度
          傳導干擾測試
          電磁輻射比吸收率測試
          電快速瞬變脈沖群抗擾度測試
          電壓閃爍測試
          電壓暫降、短時中斷和電壓變化抗擾度
          工頻磁場抗擾度測試
          諧波干擾測試
          靜電放電抗擾度測試
          浪涌(沖擊)抗擾度測試
          輻射干擾測試
          無線射頻測試
          高效液相色譜分析(HPLC)
          ROHS檢測
          裂解/氣相色譜/質(zhì)譜聯(lián)用分析(PY-GC-MS)
          REACH檢測
          電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜分析(ICP-OES)
          重金屬檢測
          無鉛測試
          阻燃性試驗
          阻燃性試驗
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          L99PCU2FGAA X-ray檢測報告

          日期:2021-08-19 11:00:28 瀏覽量:11726 作者:創(chuàng)芯在線檢測中心

          型號 :L99PCU2FGAA

          器件品牌 :ST 

          批次代碼 :1840、1843、1844 

          器件封裝 :QFP64 

          樣品數(shù)量 :60 片 

          檢測數(shù)量 :60 片 

          收樣日期 :2021/08/09 

          測試日期 :2021/08/10 13:30 - 2021/08/13 15:40

          測試項目:

          外觀檢查、電特性測試、可焊性測試、X-ray 檢測、開蓋測試

          測試方法及測試設(shè)備

          1.1 測試標準: 

          MIL-STD-883L-2019 2009.14 ? 

          GJB 128A-1997 

          MIL-STD-883L-2019 2012.11 ? 

          MIL-STD-883L-2019 2010.14 ? 

          MIL-STD-883L-2019 2003.13 

          1.2 顯微鏡 

          設(shè)備規(guī)格: 

          光學顯微鏡:SEZ-260: X7-X45 

          金相顯微鏡:FJ-3A: X50-X500 

          1.3 數(shù)顯卡尺 

          設(shè)備規(guī)格: 

          MASTERPROOF:標準數(shù)字顯示卡尺0-150mm 

          1.4 X-射線檢測 

          設(shè)備規(guī)格: 

          硬件:XiDAT Dage XD6500 

          軟件:11.56-DD605

          放大倍率超過 2800x 

          分辨率低于 2um 

          能量:65KV / 50uA

          1.5 電特性測試設(shè)備 

          設(shè)備規(guī)格: 

          半導體管特性圖示儀 XJ4822: 

          用示波管顯示半導體器件各種特性曲線,并測量其靜態(tài)參數(shù),用于測量晶體管, 二極管,MOSFET和其他半導體器件。 最大集電極電壓高達3KV(可選) 步進電壓±10V +△VB ±5V,內(nèi)部電阻低,特別適用于測試大功率VMOS器件 

          1.6 檢測環(huán)境

          環(huán)境溫度: 25±5℃     

          環(huán)境相對濕度: 45%-65%RH

          外觀測試: 

          依據(jù)標準:MIL-STD-883L-2019 2009.14 

          結(jié)論描述: 

          客戶提供制造商為 ST 型號 L99PCU2FGAA 的測試品進行外觀檢測。詳情如下: 外觀檢測測試樣品 60 片(#1-#60),芯片表面絲印清晰完整,未發(fā)現(xiàn)芯片二次涂層、打磨、缺口或破損 痕跡,發(fā)現(xiàn)多個不同的批次,發(fā)現(xiàn)管腳輕微氧化、臟污和散熱片輕微氧化現(xiàn)象,其中 1 片(#2)管腳 臟污嚴重,失敗 1 片(#2),沒有查到相關(guān)規(guī)格書尺寸,無法與規(guī)格書進行尺寸對比,根據(jù) QFP64 的一般尺寸規(guī)格要求,對#1 尺寸進行測量,此樣品外觀 59 片(#1)、(#3-#60)檢測通過, 1 片(#2) 失敗。 

          測量尺寸: 

          L: 11.99 MM 

          W: 11.95 MM 

          H: 1.59 MM 

          X-Ray測試: 

          依據(jù)標準:MIL-STD-883L-2019 2012.11 結(jié)論描述: X-Ray 檢測測試樣品 60 片(#1-#60),發(fā)現(xiàn)#1-#60 的銀膠疑似有密度不均現(xiàn)象,未發(fā)現(xiàn)鍵合絲異常。

          外觀檢測結(jié)果

          電特性測試:

          電特性測試結(jié)果

          電特性測試結(jié)果

          可焊性測試結(jié)論: 

          依據(jù)標準:MIL-STD-883L-2019 2003.13 

          使用直插測試法對 1 片測試樣品進行可焊性測試,測試樣品 1 片(#1)通過,引腳測試端被新的焊料 層覆蓋面積超過 95%以上。

          開蓋測試: 

          依據(jù)標準:MIL-STD-883L-2019 2010.14 

          結(jié)論描述: 對客戶提供制造商為 ST 型號 L99PCU2FGAA 的樣品 1 片(#1)進行開蓋檢查。 

          測試結(jié)果: #1 樣品開蓋發(fā)現(xiàn) ST 廠商標記和 2016 版權(quán)年及晶片代碼 UBDGAA。 

          測試結(jié)論: 確認#1 樣品 die 為 ST 廠商產(chǎn)品

          1.芯片描述 沒有查到相關(guān)芯片描述。 

          2.封裝尺寸 沒有查到相關(guān)尺寸圖。 

          3.來料信息

          來料信息

          4.外觀測試: 

          依據(jù)標準:MIL-STD-883L-2019 2009.14 

          客戶提供制造商為 ST 型號 L99PCU2FGAA 的測試品進行外觀檢測。

          詳情如下: 外觀檢測測試樣品 60 片(#1-#60),芯片表面絲印清晰完整,未發(fā)現(xiàn)芯片二次涂層、打磨、缺口或破損 痕跡,發(fā)現(xiàn)多個不同的批次,發(fā)現(xiàn)管腳輕微氧化、臟污和散熱片輕微氧化現(xiàn)象,其中 1 片(#2)管腳 臟污嚴重,失敗 1 片(#2),沒有查到相關(guān)規(guī)格書尺寸,無法與規(guī)格書進行尺寸對比,根據(jù) QFP64 的一般尺寸規(guī)格要求,對#1 尺寸進行測量,此樣品外觀 59 片(#1)、(#3-#60)檢測通過, 1 片(#2) 失敗。 

          測量尺寸: 

          L: 11.99 MM 

          W: 11.95 MM 

          H: 1.59 MM

          外觀檢測

          外觀檢測

          外觀檢測

          外觀檢測

          5.X-Ray測試: 

          依據(jù)標準:MIL-STD-883L-2019 2012.11 

          結(jié)論描述: X-Ray 檢測測試樣品 60 片(#1-#60),發(fā)現(xiàn)#1-#60 的銀膠疑似有密度不均現(xiàn)象,未發(fā)現(xiàn)鍵合絲異常。

          X-Ray測試

          X-Ray測試

          X-Ray測試

          X-Ray測試

          6.電特性測試 

          依據(jù)標準:GJB 128A-1997 使用半導體管特性圖示儀在 25°C 下驗證芯片管腳電特性曲線,通過開路/短路測試檢查芯片是否損壞。

          電特性測試

          電特性測試

          電特性測試結(jié)果:

          電特性測試結(jié)果

          7.可焊性測試結(jié)論: 

          依據(jù)標準:MIL-STD-883L-2019 2003.13 

          使用直插測試法對 1 片測試樣品進行可焊性測試,測試樣品 1 片(#1)通過,引腳測試端被新的焊料 層覆蓋面積超過 95%以上。

          可焊性測試結(jié)果

          可焊性測試結(jié)果

          可焊性測試結(jié)果

          8.開蓋測試: 

          依據(jù)標準:MIL-STD-883L-2019 2010.14 

          結(jié)論描述: 對客戶提供制造商為 ST 型號 L99PCU2FGAA 的樣品 1 片(#1)進行開蓋檢查。 

          測試結(jié)果: #1 樣品開蓋發(fā)現(xiàn) ST 廠商標記和 2016 版權(quán)年及晶片代碼 UBDGAA。 

          測試結(jié)論: 確認#1 樣品 die 為 ST 廠商產(chǎn)品。

          開蓋測試

          開蓋測試

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