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        <blockquote id="hqvjk"><b id="hqvjk"><nobr id="hqvjk"></nobr></b></blockquote>
          服務(wù)項(xiàng)目
          IC真?zhèn)螜z測(cè)
          DPA檢測(cè)
          失效分析
          開(kāi)發(fā)及功能驗(yàn)證
          材料分析
          可靠性驗(yàn)證
          電磁兼容(EMC)
          化學(xué)分析
          無(wú)損檢測(cè)
          標(biāo)簽檢測(cè)
          外觀檢測(cè)
          X-Ray檢測(cè)
          功能檢測(cè)
          破壞性檢測(cè)
          丙酮測(cè)試
          刮擦測(cè)試
          HCT測(cè)試
          開(kāi)蓋測(cè)試
          增值服務(wù)
          烘烤
          編帶
          包裝與物流
          DPA檢測(cè)-三級(jí)
          外觀檢測(cè)
          X-Ray檢測(cè)
          功能檢測(cè)
          粒子碰撞噪聲檢測(cè)
          密封
          內(nèi)部水汽含量
          超聲波掃描(SAT檢測(cè))
          可焊性測(cè)試
          開(kāi)蓋測(cè)試
          鍵合強(qiáng)度
          芯片剪切強(qiáng)度
          結(jié)構(gòu)
          非破壞分析
          3D數(shù)碼顯微鏡
          X-Ray檢測(cè)
          超聲波掃描(SAT檢測(cè))
          電性檢測(cè)
          半導(dǎo)體組件參數(shù)分析
          電特性測(cè)試
          點(diǎn)針信號(hào)量測(cè)
          靜電放電/過(guò)度電性應(yīng)力/閂鎖試驗(yàn)
          失效點(diǎn)定位
          砷化鎵銦微光顯微鏡
          激光束電阻異常偵測(cè)
          Thermal EMMI(InSb)
          破壞性物理分析
          開(kāi)蓋測(cè)試
          芯片去層
          切片測(cè)試
          物性分析
          剖面/晶背研磨
          離子束剖面研磨(CP)
          掃描式電子顯微鏡(SEM)
          工程樣品封裝服務(wù)
          晶圓劃片
          芯片打線/封裝
          競(jìng)爭(zhēng)力分析
          芯片結(jié)構(gòu)分析
          新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)測(cè)試(FT)
          FPGA開(kāi)發(fā)
          單片機(jī)開(kāi)發(fā)
          測(cè)試電路板設(shè)計(jì)/制作
          關(guān)鍵功能測(cè)試
          分立元器件測(cè)試
          功能檢測(cè)
          編程燒錄
          芯片電路修改
          芯片電路修改/點(diǎn)針墊偵錯(cuò)
          新型 WLCSP 電路修正技術(shù)
          結(jié)構(gòu)觀察
          穿透式電子顯微鏡(TEM)
          掃描式電子顯微鏡(SEM)
          雙束聚焦離子束
          成分分析
          穿透式電子顯微鏡(TEM)
          掃描式電子顯微鏡(SEM)
          光譜能量分析儀
          光譜能量分析儀
          車載集成電路可靠性驗(yàn)證
          車電零部件可靠性驗(yàn)證(AEC)
          板階 (BLR) 車電可靠性驗(yàn)證
          車用系統(tǒng)/PCB可靠度驗(yàn)證
          可靠度板階恒加速試驗(yàn)
          間歇工作壽命試驗(yàn)(IOL)
          可靠度外形尺寸試驗(yàn)
          可靠度共面性試驗(yàn)
          環(huán)境類試驗(yàn)
          高低溫
          恒溫恒濕
          冷熱沖擊
          HALT試驗(yàn)
          HASS試驗(yàn)
          快速溫變
          溫度循環(huán)
          UV紫外老化
          氙燈老化
          水冷測(cè)試
          高空低氣壓
          交變濕熱
          機(jī)械類試驗(yàn)
          拉力試驗(yàn)
          芯片強(qiáng)度試驗(yàn)
          高應(yīng)變率-振動(dòng)試驗(yàn)
          低應(yīng)變率-板彎/彎曲試驗(yàn)
          高應(yīng)變率-機(jī)械沖擊試驗(yàn)
          芯片封裝完整性-封裝打線強(qiáng)度試驗(yàn)
          芯片封裝完整性-封裝體完整性測(cè)試
          三綜合(溫度、濕度、振動(dòng))
          四綜合(溫度、濕度、振動(dòng)、高度)
          自由跌落
          紙箱抗壓
          腐蝕類試驗(yàn)
          氣體腐蝕
          鹽霧
          臭氧老化
          耐試劑試驗(yàn)
          IP防水/防塵試驗(yàn)
          IP防水等級(jí)(IP00~IP69K)
          冰水沖擊
          浸水試驗(yàn)
          JIS/TSC3000G/TSC0511G防水測(cè)試
          IP防塵等級(jí)(IP00~IP69)
          電磁兼容(EMC)
          射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度
          傳導(dǎo)干擾測(cè)試
          電磁輻射比吸收率測(cè)試
          電快速瞬變脈沖群抗擾度測(cè)試
          電壓閃爍測(cè)試
          電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度
          工頻磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試
          諧波干擾測(cè)試
          靜電放電抗擾度測(cè)試
          浪涌(沖擊)抗擾度測(cè)試
          輻射干擾測(cè)試
          無(wú)線射頻測(cè)試
          高效液相色譜分析(HPLC)
          ROHS檢測(cè)
          裂解/氣相色譜/質(zhì)譜聯(lián)用分析(PY-GC-MS)
          REACH檢測(cè)
          電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜分析(ICP-OES)
          重金屬檢測(cè)
          無(wú)鉛測(cè)試
          阻燃性試驗(yàn)
          阻燃性試驗(yàn)
          應(yīng)用領(lǐng)域
          案例標(biāo)準(zhǔn)
          測(cè)試案例(報(bào)告形式)
          檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)
          IC真?zhèn)螜z測(cè)
          失效分析
          功能檢測(cè)
          開(kāi)蓋檢測(cè)
          X-Ray檢測(cè)
          編程燒錄
          可焊性測(cè)試
          外觀檢測(cè)
          電特性測(cè)試
          切片檢測(cè)
          SAT檢測(cè)
          DPA檢測(cè)
          ROHS檢測(cè)
          溫度老化測(cè)試
          IGBT檢測(cè)
          AS6081標(biāo)準(zhǔn)
          AEC-Q100測(cè)試項(xiàng)目
          參考標(biāo)準(zhǔn)
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          失效分析相關(guān)資訊
          PIC12F508-I/P 編程燒錄報(bào)告
          電子元器件失效原因和常見(jiàn)檢測(cè)方法

          電子元件是指在工廠生產(chǎn)加工時(shí)不改變分子成分的成品,通常由多個(gè)零件組成。電子元器件的家族非常廣泛和龐大,包括復(fù)雜的電阻、繼電器、電容器、變壓器、電位器、電子管、散熱器、機(jī)電元件、電位器、連接器等。在電子電路中,人們最常接觸的電阻器、電容器、電感和變壓器類,因其重要性,本文將重點(diǎn)講解它們的失效原因和常見(jiàn)檢測(cè)方法。

          2023-07-21 17:50:00
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          材料失效分析 溫度對(duì)電子元件的影響

          電子元器件的使用溫度范圍很重要,超過(guò)此范圍會(huì)導(dǎo)致性能下降、失效或損壞。通常,民用級(jí)的使用溫度范圍為0-70℃,工業(yè)級(jí)為-40-85℃,軍用級(jí)為-55-128℃。溫度變化對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力、極限電壓和電流等產(chǎn)生重大影響?,F(xiàn)代芯片通常包含數(shù)百萬(wàn)甚至上千萬(wàn)個(gè)晶體管和其他元器件,每個(gè)微小的偏差的累加可能會(huì)對(duì)半導(dǎo)體外部特性產(chǎn)生巨大影響。如果溫度過(guò)低,芯片在額定工作電壓下可能無(wú)法打開(kāi)內(nèi)部的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān),導(dǎo)致無(wú)法正常工作。

          2023-07-18 15:36:00
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          復(fù)合材料常見(jiàn)的失效模式 專業(yè)失效分析機(jī)構(gòu)
          復(fù)合材料常見(jiàn)的失效模式 專業(yè)失效分析機(jī)構(gòu)

          為了有效地延長(zhǎng)復(fù)合材料的使用壽命,需要對(duì)復(fù)合材料的失效進(jìn)行分析和處理。復(fù)合材料的失效模式比較復(fù)雜,常見(jiàn)的失效模式包括延性失效、蠕變失效和穩(wěn)定失效。下面將分別介紹這三種失效模式的特點(diǎn)和應(yīng)用。

          2023-06-08 16:18:28
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          失效分析的基本程序和主要步驟
          失效分析的基本程序和主要步驟

          失效分析是一種系統(tǒng)的方法,用于識(shí)別和評(píng)估系統(tǒng)、設(shè)備或過(guò)程中潛在的故障、缺陷和失效形式。它可以幫助組織預(yù)防事故和故障發(fā)生,降低生產(chǎn)和服務(wù)過(guò)程中的風(fēng)險(xiǎn)和損失。以下是失效分析的基本程序和主要步驟:

          2023-04-25 14:08:47
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          失效分析通常通過(guò)哪幾個(gè)程序?
          失效分析通常通過(guò)哪幾個(gè)程序?

          失效分析是一個(gè)非常重要的過(guò)程,特別是在制造、維護(hù)和運(yùn)行過(guò)程中。它通常涉及對(duì)失效原因進(jìn)行分析,以確定如何糾正或預(yù)防類似事件的再次發(fā)生。為幫助大家深入了解,以下內(nèi)容由創(chuàng)芯檢測(cè)網(wǎng)整理,提供給您參考。

          2023-04-23 16:35:33
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          Fmea失效分析運(yùn)用在哪些方面?
          Fmea失效分析運(yùn)用在哪些方面?

          FMEA(Failure Mode and Effects Analysis)失效模式與影響分析,是一種常見(jiàn)的風(fēng)險(xiǎn)管理工具,可以用來(lái)識(shí)別和評(píng)估系統(tǒng)、設(shè)備或產(chǎn)品中可能存在的失效模式和其對(duì)系統(tǒng)、設(shè)備或產(chǎn)品的影響,以及開(kāi)發(fā)相應(yīng)的糾正和預(yù)防措施,降低潛在的風(fēng)險(xiǎn)和損失。常見(jiàn)的可用到FMEA失效模式分析的項(xiàng)目包括:生產(chǎn)管理;設(shè)備應(yīng)用;過(guò)程管理;工程管理;焊接技術(shù);系統(tǒng)控制與運(yùn)行;頻度;物流管理;軟件分析;注塑;機(jī)加工; 印刷;PCB;供暖系統(tǒng)等等。

          2023-03-22 15:08:35
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          關(guān)于MOS管失效的5大因素及處理措施
          關(guān)于MOS管失效的5大因素及處理措施

          MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是能夠?qū)φ{(diào)的,他們都是在P型中構(gòu)成的N型區(qū)。在多數(shù)狀況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即便兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響半導(dǎo)體器件的性能。這樣的器件被以為是對(duì)稱的。目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面,排名第一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電

          2022-12-28 16:15:30
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          電子元器件常見(jiàn)失效階段包括哪些?
          電子元器件常見(jiàn)失效階段包括哪些?

          在早期失效階段,有缺陷的、受污染的或處于臨界狀態(tài)的電子元器件會(huì)在這個(gè)時(shí)期失效而暴露出來(lái)。這個(gè)階段時(shí)間很短,有的元器件僅幾天便會(huì)失效,早早地便被淘汰。正常失效期為元器件的正常工作階段,也是元器件的壽命期限。本文收集整理了一些資料,期望能對(duì)各位讀者有比較大的參閱價(jià)值。

          2022-12-20 15:00:27
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          關(guān)于電子產(chǎn)品失效性分析及可靠性驗(yàn)證試驗(yàn)
          關(guān)于電子產(chǎn)品失效性分析及可靠性驗(yàn)證試驗(yàn)

          可靠性,是質(zhì)量控制的一個(gè)分支。但是把可靠性提升到一個(gè)專門技術(shù)來(lái)看待,是產(chǎn)品不斷追求的一個(gè)必要階段。可靠性研究的兩大內(nèi)容就是失效分析和可靠性測(cè)試(包括破壞性實(shí)驗(yàn))。兩者之間是相互影響和相互制約的。因此,必須重視和加快發(fā)展元器件的可靠性分析工作,通過(guò)分析確定失效機(jī)理,找出失效原因,反饋給設(shè)計(jì)、制造和使用,共同研究和實(shí)施糾正措施,提高電子元器件的可靠性。

          2022-12-19 15:41:16
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          產(chǎn)品失效分析FMEA項(xiàng)目包括哪些方面?
          產(chǎn)品失效分析FMEA項(xiàng)目包括哪些方面?

          FMEA是在產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段和過(guò)程設(shè)計(jì)階段,對(duì)構(gòu)成產(chǎn)品的子系統(tǒng)、零件,對(duì)構(gòu)成過(guò)程的各個(gè)工序逐一進(jìn)行分析,找出所有潛在的失效模式,并分析其可能的后果,從而預(yù)先采取必要的措施,以提高產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性的一種系統(tǒng)化的活動(dòng)。為增進(jìn)大家對(duì)產(chǎn)品失效分析FMEA的認(rèn)識(shí),以下是小編整理的失效分析FMEA項(xiàng)目相關(guān)內(nèi)容,希望能給您帶來(lái)參考與幫助。

          2022-12-14 15:14:14
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          • IC真?zhèn)螜z測(cè)
          • DPA檢測(cè)
          • 失效分析
          • 開(kāi)發(fā)及功能驗(yàn)證
          • 材料分析
          • 可靠性驗(yàn)證
          • 電磁兼容(EMC)
          • 化學(xué)分析
          應(yīng)用領(lǐng)域
          • 5G通訊技術(shù)
          • 汽車電子
          • 軌道交通
          • 智慧醫(yī)療
          • 光電產(chǎn)業(yè)
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