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      電特性檢測報告:KSZ8873MLLI測試

      日期:2021-08-19 13:05:27 瀏覽量:5176 作者:創(chuàng)芯在線檢測中心

      型號 :KSZ8873MLLI

      器件品牌 :Microchip

      器件封裝 :64-lead LQFP

      樣品數(shù)量 :5 片 

      檢測數(shù)量 :5 片 

      收樣日期 :2021/08/11 

      測試日期 :2021/08/16 13:30 - 2021/08/16 17:40

      測試項目:

      電特性測試、高低溫試驗

      測試方法及測試設(shè)備 

      1.1 測試標(biāo)準(zhǔn):

      MIL-STD-883L-2019 ? 

      GJB 128A-1997 

      1.2 恒溫箱

      設(shè)備規(guī)格: JW-2001 

      1.3 功能測試設(shè)備

      半導(dǎo)體管特性圖示儀 XJ4822: 

      用示波管顯示半導(dǎo)體器件各種特性曲線,并測量其靜態(tài)參數(shù),用于測量晶體管,二極管,MOSFET 和其他半導(dǎo)體器件。 最大集電極電壓高達(dá)3KV(可選) 步進(jìn)電壓±10V +△VB ±5V,內(nèi)部電阻低,特別適用于測試大功率VMOS器件。

      1.4 檢測環(huán)境

      環(huán)境溫度: 25±5℃ 

      環(huán)境相對濕度: 45%-65%RH

      1.5 檢測依據(jù)

      《Microchip KSZ8873MLL》: https://www.semiee.com/file/Microchip/Microchip-KSZ8873.pdf 

      電特性測試:

      電特性測試

      高低溫試驗: 

      測試步驟: 

      1、常溫測試電特性是否合格; 

      2、150 度高溫持續(xù)一小時,取出后測試電特性是否合格; 

      3、-55 度低溫放置一小時,取出后測試電特性是否合格;

      高低溫試驗

      1.芯片描述 

      高級開關(guān)功能 綜合配置寄存器 支持優(yōu)先 QoS/CoS 數(shù)據(jù)包 每個端口,802.1p 和基于 DiffServ 經(jīng)過驗證的集成 3 端口 10/100 以太網(wǎng)交換機 開關(guān)監(jiān)測功能 低功耗 

      2.封裝尺寸

      封轉(zhuǎn)尺寸

      封轉(zhuǎn)尺寸

      3.來料信息

      來料信息

      來料圖片

      4.高低溫試驗

      測試步驟: 

      1、常溫測試電特性是否合格;

      2、150 度高溫持續(xù)一小時,取出后測試電特性是否合格; 

      3、-55 度低溫持續(xù)一小時,取出后測試電特性是否合格; 

      高低溫試驗程序設(shè)定如下:

      高低溫試驗程序設(shè)定

      5.電特性測試

      依據(jù)標(biāo)準(zhǔn):GJB 128A-1997

      使用半導(dǎo)體管特性圖示儀驗證芯片管腳電特性曲線,通過開路/短路測試檢查芯片是否損壞。

      電特性測試

      電特性測試

      電特性測試

      電特性測試

      電特性測試結(jié)論:

      電特性測試

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